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BSC009NE2LSXT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8
數(shù)量：: 891
說明：: MOSFET OptiMOS Power MOSFET

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BSC009NE2LSXT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSC009NE2LS BSC009NE2LSATMA1
典型關閉延遲時間：48 nS
上升時間：33 ns
功率耗散：96 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：126 nC
下降時間：19 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.75 mOhms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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