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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > BSB028N06NN3 G

BSB028N06NN3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: MG-WDSON-2
數(shù)量：: 7211
說(shuō)明：: MOSFET N-Channel 60V MOSFET

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BSB028N06NN3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSB028N06NN3GXT BSB028N06NN3GXUMA1 SP000605956
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：38 ns
上升時(shí)間：9 ns
功率耗散：78 W
最小工作溫度：- 40 C
柵極電荷 Qg：108 nC
下降時(shí)間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MG-WDSON-2
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.8 mOhms
漏極連續(xù)電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSB028N06NN3 G的詳細(xì)信息，包括BSB028N06NN3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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