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BSB015N04NX3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: WDSON
數(shù)量：: 5418
說明：: MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH

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BSB015N04NX3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSB015N04NX3GXT BSB015N04NX3GXUMA1 SP000597852
典型關閉延遲時間：36 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：6.4 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 40 C
下降時間：7.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WDSON
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0015 Ohms
漏極連續(xù)電流：35 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSB015N04NX3 G的詳細信息，包括BSB015N04NX3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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