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BSB012N03LX3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: MG-WDSON-2，CanPAK M?
數(shù)量：: 5400
說(shuō)明：: MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH

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BSB012N03LX3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSB012N03LX3GXT BSB012N03LX3GXUMA1 SP000597846
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：47 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：8.6 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 40 C
下降時(shí)間：8.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WDSON
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0012 Ohms
漏極連續(xù)電流：39 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSB012N03LX3 G的詳細(xì)信息，包括BSB012N03LX3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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