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BSB008NE2LXXT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: MG-WDSON-2
數(shù)量：: 549
說明：: MOSFET OptiMOS Power MOSFET

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BSB008NE2LXXT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSB008NE2LX BSB008NE2LXXUMA1
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：75 ns
上升時(shí)間：47.2 ns
功率耗散：89 W
最小工作溫度：- 40 C
柵極電荷 Qg：240 nC
下降時(shí)間：32.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MG-WDSON-2
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：800 mOhms
漏極連續(xù)電流：180 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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