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BDP 950 E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SOT-223-4
數(shù)量：: 7173
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR

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BDP 950 E6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BDP950E6327HTSA1 BDP950E6327XT SP000010939
工廠包裝數(shù)量：1000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：5000 mW
集電極連續(xù)電流：3 A
封裝形式：SOT-223-4
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
增益帶寬產(chǎn)品fT：100 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流：3 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Infineon

以上是BDP 950 E6327的詳細信息，包括BDP 950 E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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