日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BCR 112F E6327

BCR 112F E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TSFP-3
數(shù)量：: 1530
說明：: TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3

一、本商品被瀏覽0次.

BCR 112F E6327 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

晶體管類型：NPN - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）：4.7K
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）：4.7K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：20 @ 5mA, 5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大）：-
頻率 - 轉(zhuǎn)換：140MHz
功率 - 最大：250mW
安裝類型：表面貼裝

以上是BCR 112F E6327的詳細信息，包括BCR 112F E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：