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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > AUIRF7737L2TR1

AUIRF7737L2TR1

廠家：: International Rectifier
封裝：: Direct-FET L6
數(shù)量：: 8073
說(shuō)明：: MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.9mOhms

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AUIRF7737L2TR1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：22 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：89 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET L6
配置：Single Hex Drain Hex Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.9 mOhms
漏極連續(xù)電流：156 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是AUIRF7737L2TR1的詳細(xì)信息，包括AUIRF7737L2TR1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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