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ACT108-600E,126

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-92-3
數(shù)量：: 16705
說(shuō)明：: 雙向可控硅 TVS THYRISTOR 650V

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ACT108-600E,126 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 40 C
封裝形式：TO-92-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 125 C
柵觸發(fā)電流 (Igt)：10 mA
柵觸發(fā)電壓 (Vgt)：1 V
保持電流（Ih 最大值）：25 mA
開(kāi)啟狀態(tài)電壓：1.3 V
關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）：0.2 mA
額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：600 V
不重復(fù)通態(tài)電流：8.8 A
開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS)：0.8 A
RoHS：是
制造商：NXP

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