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55GN01MA-TL-E

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 3-MCP
數(shù)量:
 4746  
說明:
 兩極晶體管 - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=5.5G
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55GN01MA-TL-E-3-MCP圖片

55GN01MA-TL-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

包裝形式:Reel
最大功率耗散:400 mW
集電極連續(xù)電流:70 mA
封裝形式:MCPH-3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:10 V
晶體管極性:NPN
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是55GN01MA-TL-E的詳細(xì)信息,包括55GN01MA-TL-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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