中文參數如下：
典型關閉延遲時間：120 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：15 ns
功率耗散：450 W
下降時間：25 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220SIS
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.75 Ohms
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba
以上是2SK3569(Q)的詳細信息，包括2SK3569(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
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