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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > 2SK3562(Q)

2SK3562(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-220 SIS
數(shù)量：: 8919
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm

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2SK3562(Q) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：9.5 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時(shí)間：5 ns
功率耗散：400 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：3 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220 SIS
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.25 Ohms
漏極連續(xù)電流：6 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK3562(Q)的詳細(xì)信息，包括2SK3562(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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