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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C68 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)250V
Id 時的 Vgs(th)（最大）3.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs132nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 5400pF @ 10V
功率 - 最大150W
安裝類型通孔

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