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2SK2719(F)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-3P(N)
數(shù)量:
 7722  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 900V 3A 2-16C1B
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2SK2719(F)-TO-3P(N)圖片

2SK2719(F) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.3 歐姆 @ 1.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)900V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 750pF @ 25V
功率 - 最大125W
安裝類型通孔

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