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2SD1803S-E

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TP
數(shù)量:
 3874  
說明:
 兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
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2SD1803S-E-TP圖片

2SD1803S-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:
封裝封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
安裝類型:通孔
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:180MHz
功率 - 最大值:1 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):140 @ 500mA,2V
電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):400mV @ 150mA,3A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):5 A
晶體管類型:NPN
產(chǎn)品狀態(tài):最后售賣
包裝:-
系列:散裝
品牌:onsemi

以上是2SD1803S-E的詳細(xì)信息,包括2SD1803S-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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