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2N5551RL1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-92（TO-226）
數(shù)量：: 1386
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN

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2N5551RL1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)基體（成形引線）
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：300MHz
功率 - 最大值：625 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：50nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：160 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：600 mA
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
品牌：onsemi

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