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2N3117

廠家:
  Central Semiconductor
封裝:
 TO-18
數量:
 10184  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Low Lvl SS
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2N3117-TO-18圖片

2N3117 PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:2000
包裝形式:Box
直流電流增益 hFE 最大值:500
封裝形式:TO-18
安裝風格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:250
增益帶寬產品fT:60 MHz
集電極—射極飽和電壓:60 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:60 V
集電極—基極電壓 VCBO:60 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor

以上是2N3117的詳細信息,包括2N3117廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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