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2N3019

廠家：: Central Semiconductor
封裝：
數(shù)量：: 6945
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS

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2N3019 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-205AD，TO-39-3 金屬罐
安裝類型：通孔
工作溫度：175°C（TJ）
頻率 - 躍遷：100MHz
功率 - 最大值：800 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V
電流 - 集電極截止（最大值）：10nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：80 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1 A
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

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