| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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PTMA080152M V1 | Infineon Technologies | PG-DSO-20-63 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD 8 IC | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：0.7 GHz to 1 GHz，增益... | ||||||
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PTMA080302M V1 | Infineon Technologies | PG-DSO-20-63 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD 8 IC | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：0.7 GHz to 1 GHz，增益... | ||||||
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PTMA180402M V1 | Infineon Technologies | PG-DSO-20-63 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD 8 IC | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：1.8 GHz to 2.1 GHz，... | ||||||
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PTMA210152M V1 | Infineon Technologies | PG-DSO-20-63 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD 8 IC | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：1.8 GHz to 2.2 GHz，... | ||||||
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PTF080101SV1 | Infineon Technologies | 32259 | 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10 W, 860-960 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，閘/源擊穿電壓：- 0.5 V,... | ||||||
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PTF140451E V1 | Infineon Technologies | H-30265-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 | ||
| 參數(shù)：Infineon Technologies|托盤|GOLDMOS|Digi-Key 停止提供|LDMOS|-|1.5GHz|18dB|28 V|1μA|-|55... | ||||||
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PTF140451F V1 | Infineon Technologies | H-31265-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 | ||
| 參數(shù)：Infineon Technologies|托盤|GOLDMOS|Digi-Key 停止提供|LDMOS|-|1.5GHz|18dB|28 V|1μA|-|55... | ||||||
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PTF141501E V1 | Infineon Technologies | H-30260-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 | ||
| 參數(shù)：Infineon Technologies|托盤|GOLDMOS|停產(chǎn)|LDMOS|-|1.5GHz|16.5dB|28 V|1μA|-|1.5 A|150W|... | ||||||
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PTF180101S V1 | Infineon Technologies | H-32259-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10W 1805-1880 MHz | ||
| 參數(shù)：Infineon Technologies|卷帶（TR）|GOLDMOS|停產(chǎn)|LDMOS|-|1.99GHz|19dB|28 V|1μA|-|180 mA|1... | ||||||
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PTF180301EV1 | Infineon Technologies | 30265 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：65 V，... | ||||||
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PTF180301EV1R250 | Infineon Technologies | H-30265 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：1.99 GHz，增益：... | ||||||
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PTF210451E V1 | Infineon Technologies | H-30265-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 TRANS MOSFET N-CH 65V | ||
| 參數(shù)：Infineon Technologies|托盤|GOLDMOS|停產(chǎn)|LDMOS|-|2.17GHz|14dB|28 V|1μA|-|500 mA|45W|6... | ||||||
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PTF210451FV1 | Infineon Technologies | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，包裝形式：Tray，... | ||||||
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PTF240101S V1 | Infineon Technologies | H-32259-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10 W 2400-2700 MHz | ||
| 參數(shù)：Infineon Technologies|卷帶（TR）|GOLDMOS|停產(chǎn)|LDMOS|-|2.68GHz|16dB|28 V|1μA|-|180 mA|1... | ||||||
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PTFA041501E V4 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：900 mA，閘/源擊穿電壓：1... | ||||||
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PTFA041501E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：900 mA，閘/源擊穿電壓：1... | ||||||
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PTFA041501F V4 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：900 mA，閘/源擊穿電壓：1... | ||||||
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PTFA041501F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：900 mA，閘/源擊穿電壓：1... | ||||||
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PTFA041501GL V1 R250 | Infineon Technologies | PG-63248-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD EPOC | ||
| 參數(shù)：Infineon Technologies|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|LDMOS|-|470MHz|21dB|28 V|1μA|-|900 mA|150W|65 ... | ||||||
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PTFA041501HL V1 R250 | Infineon Technologies | PG-64248-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD EPOC | ||
| 參數(shù)：Infineon Technologies|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|LDMOS|-|470MHz|21dB|28 V|1μA|-|900 mA|150W|65 ... | ||||||
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