| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SOT428.JPG)
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PSMN063-150D,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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PSMN069-100YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET Single NChannel 100V 68A 56W 130mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：90 V，漏極連續(xù)電流：12 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：130 mO... | ||||||
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PSMN070-200B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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PSMN070-200B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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PSMN070-200P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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PSMN070-200P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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PSMN085-150K /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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PSMN085-150K,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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PSMN0R9-25YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-Ch 25V 0.99 mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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PSMN102-200Y,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 200V 21.5A 5-Pin | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：21.5 A，... | ||||||
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PSMN130-200D,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET N-CH TRENCH 200V 20A | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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PSMN165-200K /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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PSMN165-200K,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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PSMN1R0-30YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 14,250 | MOSFET N-CH 30 V 1.15 mOhms LOGIC LEVEL MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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PSMN1R1-25YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 3,791 | MOSFET N-Ch 25V 1.15 mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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PSMN1R1-30EL,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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PSMN1R1-30PL,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 2,223 | MOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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PSMN1R1-40BS,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 677 | MOSFET Std N-chanMOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲極... | ||||||
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PSMN1R2-25YL,115 | NXP Semiconductors | SOT-1023，4-LFPAK | MOSFET N-CH 25V 1.2 mOhm Logic Level MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 R... | ||||||
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PSMN1R2-25YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 1,225 | MOSFET N-Ch 25V 1.3 mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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