| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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F3L30R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Module | 11 | IGBT 模塊 IGBT MODULES 600V 30A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：3-Phase，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電... | ||||||
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F3L50R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT MODULES 600V 50A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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F3L75R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT MODULES 650V 75A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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F4-150R06KL4 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模塊 N-CH 600V 180A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
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F4-150R12KS4 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 180A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 ... | ||||||
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F4-400R12KS4_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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F4-100R12KS4 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 130A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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F4-200R06KL4 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模塊 N-CH 600V 225A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
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F4-25R12NS4 | Infineon Technologies | Econo 1 | IGBT 模塊 IGBT-MODULES | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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F4-25R12YT3_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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F4-30R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | 78 | IGBT 模塊 N-CH 600V 48A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C... | ||||||
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F4-35R12NS4 | Infineon Technologies | Econo 1 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 50A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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F4-100R06KL4 | Infineon Technologies | EconoPACK 2B | IGBT 模塊 1200V 100A LOW LOSS FOUR PACK | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
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F4-75R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | 8 | IGBT 模塊 N-CH 600V 100A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
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F4-75R12KS4 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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F4-75R12MS4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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F4-50R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模塊 N-CH 600V 75A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
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F4-50R12KS4 | Infineon Technologies | Econo 2 | 2 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 70A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 ... | ||||||
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F4-50R12MS4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 70A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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F5-75R06KE3_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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