| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FD400R12KE3_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT Module | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FD400R12KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1200V 400A CHOPPER | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter ... | ||||||
|
|
FD400R16KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1600V 400A CHOPPER | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter ... | ||||||
|
|
FD800R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.2KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集電極—發(fā)... | ||||||
|
|
FD800R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM73 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.3KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電... | ||||||
|
|
FD800R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 1700V 800A CHOPPER | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 V... | ||||||
|
|
FD800R33KF2C | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模塊 3300V 800A CHOPPER | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
|
|
FD800R33KF2C-K | Infineon Technologies | IHV190 | IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.3KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：3300 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
|
|
FD800R33KL2C-K_B5 | Infineon Technologies | IHV190 | IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：3300 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
|
|
FD900R12IP4D | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 900A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FD300R06KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續(xù)集電... | ||||||
|
|
FD300R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 370A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集... | ||||||
|
|
FD300R12KS4_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FD1600/1200R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | - | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.6KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，工廠包裝數(shù)量：1，... | ||||||
|
|
FD1000R17IE4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 1000A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FD1000R33HE3-K | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 3300V 1000A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FD1200R12IE4_B1_S1 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FD1200R17KE3-K | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.6KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集電極—發(fā)... | ||||||
|
|
FD1200R17KE3-K_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.7KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集電極—發(fā)... | ||||||
|
|
FD200R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-5 | IGBT 模塊 1200V 200A CHOPPER | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：1.... | ||||||
22/87 首頁 上頁 [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] 下頁 尾頁
