| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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FF100R12MT4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF100R12RT4 | Infineon Technologies | 14 | IGBT 模塊 IGBT Module w/ IGBT & Diode | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：2... | ||||||
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FF100R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | 3 | IGBT 模塊 IGBT INVERTER 1200V | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 ... | ||||||
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FF200R12KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 295A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，工廠包裝數(shù)量：10，... | ||||||
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FF200R12KE4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF200R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 1200V 200A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
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FF200R12KT3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 295A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF200R12KT3_E | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 200A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF200R12KT4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 320A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF200R12MT4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF200R17KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 390A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF200R17KE3_S4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 200A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF225R12ME3 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 325A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF225R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 225A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF225R12MS4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 275A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF225R17ME3 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 340A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF225R17ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 225A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF300R06KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 600V 400A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續(xù)集電極電... | ||||||
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FF300R06KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 600V 300A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF300R06ME3 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 600V 300A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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