| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
TGF2022-48 | TriQuint Semiconductor | 18-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 4.8mm Pwr pHEMT (0.35um) | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：pHEMT，頻率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值... | ||||||
|
TGF2022-60 | TriQuint Semiconductor | 18-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 6.0mm Pwr pHEMT (0.35um) | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：pHEMT，頻率：18 GHz，增益：12 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小... | ||||||
|
|
TGF2023-01 | TriQuint Semiconductor | 2-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 1.25mm GaN Discrete | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：18 GHz，增益：15 dB，漏源電壓 VDS：40 V，閘/... | ||||||
|
|
TGF2023-02 | TriQuint Semiconductor | 3-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 2.5mm GaN Discrete | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：18 GHz，增益：15 dB，漏源電壓 VDS：40 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連... | ||||||
|
TGF2023-05 | TriQuint Semiconductor | 5-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 5.0mm GaN Discrete | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：18 GHz，增益：15 dB，漏源電壓 VDS：40 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連... | ||||||
|
TGF2023-10 | TriQuint Semiconductor | 16-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 10mm GaN Discrete | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：18 GHz，增益：8.7 dB，漏源電壓 VDS：40 V，閘/源擊穿電壓：- 3.6 V，... | ||||||
|
|
TGF2023-20 | TriQuint Semiconductor | 17-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 20mm GaN Discrete | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：18 GHz，增益：15 dB，漏源電壓 VDS：40 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連... | ||||||
|
TGF2960-SD-T/R | TriQuint Semiconductor | SOT89 | 射頻GaAs晶體管 DC-5.0GHz 0.5 Watt HFET | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：5 GHz，增益：15 db at 2.1 GHz，噪聲系數(shù)：4... | ||||||
|
|
TGF2961-SD-T/R | TriQuint Semiconductor | SOT89 | 射頻GaAs晶體管 DC-4Hz 1 Watt HFET | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：4 GHz，增益：15 dB at 2.1 GHz，噪聲系數(shù)：4... | ||||||
|
TGF4112 | TriQuint Semiconductor | 12-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 DC-8.0GHz 5 Watt HFET | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：2.3 GHz，增益：12.7 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/... | ||||||
|
TGF4118 | TriQuint Semiconductor | 12-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 DC-6.0GHz 7 Watt HFET | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：2.3 GHz，增益：11.5 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/... | ||||||
|
TGF4124 | TriQuint Semiconductor | 14 -Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 DC-4.0GHz 10 Watt HFET | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：2.3 GHz，增益：10.8 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/... | ||||||
|
TGF4230-SCC | TriQuint Semiconductor | 4-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 DC-12.0GHz 0.7W HFET | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：12 GHz，增益：10 dB at 8.5 GHz，正向跨導(dǎo) ... | ||||||
|
TGF4240-SCC | TriQuint Semiconductor | 6-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 DC-12.0GHz 1.4 Watt HFET | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：12 GHz，增益：10 dB at 8.5 GHz，正向跨導(dǎo) ... | ||||||
|
TGF4250-SCC | TriQuint Semiconductor | 12-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 DC-10.5GHz 2.5 Watt HFET | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：10.5 GHz，增益：8.5 dB at 8.5 GHz，正向... | ||||||
|
TGF4260-SCC | TriQuint Semiconductor | 20-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 DC-10.5GHz 5 Watt HFET | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：10.5 GHz，增益：9.5 dB at 6 GHz，正向跨導(dǎo)... | ||||||
|
TGF2021-08 | TriQuint Semiconductor | 18-Pin-Die | 射頻GaAs晶體管 DC-12GHz 8mm Pwr pHEMT (0.35um) | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：pHEMT，頻率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小... | ||||||
|
TGA2601-SM-T/R | TriQuint Semiconductor | QFN-16 | 射頻GaAs晶體管 800-3000MHz NF .7dB Gain 19dBm | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，技術(shù)類型：pHEMT，頻率：0.8 GHz to 3 GHz，增益：19 dB at 2.6 GHz，噪聲系數(shù)：0.7 ... | ||||||
|
ATF-33143-BLKG | Avago Technologies | SOT-343 | 射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Low Noise | ||
| 參數(shù)：Broadcom Limited|帶|-|停產(chǎn)|pHEMT FET|-|2GHz|15dB|4 V|305mA|0.5dB|80 mA|22dBm|5.5 V|... | ||||||
|
|
ATF-33143-TR1G | Avago Technologies | SOT-343 | 射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Low Noise | ||
| 參數(shù)：Broadcom Limited|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|pHEMT FET|-|2GHz|15dB|4 V|305mA|0.5dB|80 mA|22dBm|5... | ||||||
8/11 首頁(yè) 上頁(yè) [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] 下頁(yè) 尾頁(yè)
