| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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GT20J321(Q) | Toshiba | TO-220(NIS)-3 | IGBT 晶體管 IGBT, 600V, 20A | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V，最大工作溫度：+ 150 C，封裝形式... | ||||||
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GT25G101(Q) | Toshiba | TO-220 | IGBT 晶體管 IGBT 400V 170A | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：400 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：25 ... | ||||||
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GT25Q102(Q) | Toshiba | IGBT 晶體管 IGBT, 1200V, 25A | |||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，工廠包裝數(shù)量：100，... | ||||||
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GT25Q301(Q) | Toshiba | TO-3P | 12 | IGBT 晶體管 High Power Motor N Channel IGBT 2.7V | |
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... | ||||||
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GT30J121(Q) | Toshiba | TO-3P（N） | 4 | IGBT 晶體管 600V/30A DIS | |
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... | ||||||
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GT40Q323(Q) | Toshiba | TO-3PN-3 | IGBT 晶體管 IGBT 1200V 39A | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... | ||||||
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GT40T301(Q) | Toshiba | TO-3P(LH)-3 | IGBT 晶體管 IGBT 1500V 40A | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1500 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：25... | ||||||
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GT50J102(Q) | Toshiba | TO-3P | IGBT 晶體管 IGBT 600V 50A | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 ... | ||||||
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GT50J121(Q) | Toshiba | TO-3P（LH） | IGBT 晶體管 600V/50A DIS | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... | ||||||
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GT50J301(Q) | Toshiba | TO-3P | IGBT 晶體管 600V/150A DIS+FRD | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... | ||||||
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GT50J325(Q) | Toshiba | TO-3P | 73 | IGBT 晶體管 600V/50A DIS+FRD | |
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... | ||||||
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GT5G131(TE12L,Q) | Toshiba | IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 130A | |||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，工廠包裝數(shù)量：3000，... | ||||||
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GT60M303(Q) | Toshiba | TO-3P | IGBT 晶體管 900V/60A DIS+FRD Trench | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：900 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... | ||||||
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GT60M323(Q) | Toshiba | IGBT 晶體管 IGBT, 900V, 60A | |||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，工廠包裝數(shù)量：100，... | ||||||
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GT60N321(Q) | Toshiba | TO-3P（LH） | IGBT 晶體管 IGBT 1000V 60A | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1000 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... | ||||||
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GT60N322(Q) | Toshiba | TO-3P | IGBT 晶體管 IGBT 1000V 57A | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1000 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：25... | ||||||
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GT8G131(TE12L,Q) | Toshiba | IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A | |||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，工廠包裝數(shù)量：3000，... | ||||||
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GT8G132(TE12L,Q) | Toshiba | IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A | |||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，工廠包裝數(shù)量：3000，... | ||||||
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GT8G133(TE12L,Q) | Toshiba | 8-TSSOP | IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，工廠包裝數(shù)量：3000，... | ||||||
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GT8G134(TE12L,Q) | Toshiba | IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A | |||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，工廠包裝數(shù)量：3000，... | ||||||
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