| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FII24N17AH1S | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶體管 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Box，工廠包裝數(shù)量：25，... | ||||||
|
|
FII30-06D | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶體管 30 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 150 ... | ||||||
|
|
FII30-12E | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 150... | ||||||
|
|
FII50-12E | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶體管 50 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 150... | ||||||
|
|
FIO50-12BD | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | IGBT 晶體管 50 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 1... | ||||||
|
|
FF200R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-7 | IGBT 晶體管 1200V 200A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：1.7... | ||||||
|
FF300R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-7 | 12 | IGBT 晶體管 1200V 300A DUAL | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：1.7... | ||||||
|
|
FF1200R12KE3 | Infineon Technologies | IHM 130X140-10 | IGBT 晶體管 1200V 1200A IGBT Module | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：1.7... | ||||||
|
|
FF1200R17KE3 | Infineon Technologies | IHM130-10 | IGBT 晶體管 1700V 1200A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：2 V... | ||||||
|
FF200R33KF2C | Infineon Technologies | IHM 73X140-8 | IGBT 晶體管 3300V 200A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：3300 V，集電極—射極飽和電壓：3.4... | ||||||
|
|
FF60U60PWD | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶體管 | |||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
|
FGA120N30DTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 300V PDP IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：300 ... | ||||||
|
|
FGA15N120ANDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 NPT IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
|
|
FGA15N120ANTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 1200V NPT Trench IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
|
FGA15N120ANTDTU_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3PN-3 | 324 | IGBT 晶體管 1200V NPT Trench | |
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
|
FGA15N120FTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 1200V 15A Field Stop Trench | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
|
|
FGA15S125P | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 FORECAST FG | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1250 V，集電極—射極飽和電壓：2.72 V，柵極/... | ||||||
|
FGA180N30DTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 TBD | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：300 ... | ||||||
|
FGA180N33ATDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN-3 | 437 | IGBT 晶體管 330V 180A PDP Trench | |
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：330 ... | ||||||
|
FGA180N33ATTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 330V 180A PDP Trench | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：330 ... | ||||||
40/234 首頁 上頁 [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] 下頁 尾頁
