IPDiA

IPDiA's primary objective is to focus on two main axes: Integrated Devices for high brightness LEDs and Integrated Passive Devices for new markets such as medical, industrial, aerospace and defense. IPDiA's technological lead in components for lighting, LEDs and integrated passive devices enables the company to capitalize on this know-how and earned IPDiA its position as a major player on the world market.

型號(hào)	品牌	封裝	數(shù)量	描述
935121423510-T1N	IPDiA	0201	200	硅電容器 LoProfile SiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150...
935121423510-T3N	IPDiA	0201		硅電容器 LowProfileSiliconCap 0201 10nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935121424310-T3N	IPDiA	0402	198	硅電容器 LoProfile SiliconCap 0402 100pF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：100 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935121424347-T3N	IPDiA	0402	200	硅電容器 LoProfile SiliconCap 0402 470pF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：470 pF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935121424410-T3N	IPDiA	0402	145	硅電容器 LowProfileSiliconCap 0402 1nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1000 pF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935121424510-T3N	IPDiA	0402	1837	硅電容器 LowProfileSiliconCap 0402 10nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935121424522-T1N	IPDiA	0402	100	硅電容器 LoProfile SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
935121424522-T3N	IPDiA	0402		硅電容器 LoProfile SiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 15...
935121424533-T3N	IPDiA	0402	177	硅電容器 LowProfileSiliconCap 0402 33nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.033 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150...
935121424610-T3N	IPDiA	0402	1757	硅電容器 LowProfileSiliconCap 0402 100nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C...
935121425610-T3N	IPDiA	0603	975	硅電容器 LoProfile SiliconCap 0603 100nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
935121427710-T3N	IPDiA	1206	173	硅電容器 LoProfile SiliconCap 1206 1uF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C，...
93512142F610-T1A	IPDiA	0404	198	硅電容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
93512142F610-T3A	IPDiA	0404		硅電容器 EmbeddedSiliconCap 0404 100nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C...
93512142H622-T1A	IPDiA			硅電容器 Emb'dSiliconCap 0505 220nF BD11V 100umThk
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，包裝形式：Reel，...
93512142H622-T3A	IPDiA	0505	200	硅電容器 EmbeddedSiliconCap 0505 220nF BD 11V
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.22 uF，容差：15 %，電壓額定值：5 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ...
93512172C510-T1A	IPDiA			硅電容器 Emb'dSiliconCap 0202 10nF BD30V 100um Thk
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，包裝形式：Reel，...
93512172C510-T3A	IPDiA			硅電容器 Emb'dSiliconCap 0202 10nF BD30V 100um Thk
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，包裝形式：Reel，...
93512442F610-T1A	IPDiA	0404		硅電容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...
93512442F610-T3A	IPDiA	0404		硅電容器 LoProfile SiliconCap 100nF 0404 BV11 Al
參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200 C，...

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